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SK海力士赴美蓋先進封裝廠 預計2028年量產

提要

將砸38億美元 設置下一代高頻寬記憶體晶片產線

SK海力士計劃斥資38.7億美元,在印第安納州興建首座美國晶片廠,這是拜登政府在尋求增加美國本土半導體產量上的又一項佳績。 美聯社
SK海力士計劃斥資38.7億美元,在印第安納州興建首座美國晶片廠,這是拜登政府在尋求增加美國本土半導體產量上的又一項佳績。 美聯社

本文共773字

經濟日報 編譯吳孟真、季晶晶/綜合外電

SK海力士計劃斥資38.7億美元,在美國印第安納州West Lafayette興建先進封裝廠和AI產品研究中心,預計2028年下半年開始量產。這是拜登政府在尋求增加美國本土半導體產量上的又一項佳績,而中西部地區也再分得一塊正在蓬勃發展的半導體產業大餅。

綜合彭博資訊和道瓊社報導,SK海力士3日表示,旗下首座美國先進封裝廠的重點是設置下一代高頻寬記憶體晶片(HBM)的生產線,這些晶片是訓練AI系統的繪圖處理器關鍵組件。新廠預計於2028年下半年開始量產,並在當地創造超過1,000個工作機會。

SK海力士在HBM晶片的設計與生產領域領先,成為AI發展熱潮的關鍵參與者,更是輝達(NVIDIA)唯一的HBM供應商。SK集團董事長崔泰源,曾在2022年承諾投資150億美元於美國半導體產業,資金將用於興建相關設施,並支持當地的研發計畫。印第安納州的工廠,便是該計畫的一部份。

美國的封裝產能僅占全球的3%,意味在美國生產晶片的公司,仍須將晶片運往亞洲組裝使用。2022年通過的530億美元「晶片與科學法」(CSA),旨在促進半導體產業回流美國,逐漸減少對亞洲供應商的依賴。SK海力士也已透過該法案申請補助。

印第安納州州長侯康安(Eric J. Holcomb)辦公室表示,州政府提供SK海力士高達5.54億美元的退稅方案,以及數百萬美元的補助和績效工資。普渡研究基金會(Purdue Research Foundation)和普渡大學(Purdue University)也提供約6,000萬美元的額外獎勵和服務。

受到「晶片與科學法」的激勵,半導體大廠開始前進美國中西部地區。儘管當地缺乏基礎設施,但地方政府以其整體較低廉的成本、勞動力潛能和鄰近關鍵資源的優勢,吸引企業進駐。英特爾如今也將斥資逾280億美元,在俄亥俄州興建兩座工廠,預計2026年完工。

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